第1章 光電技術(shù)及光電器件基礎(chǔ)
1.1 光電技術(shù)及其特點(diǎn)、應(yīng)用和發(fā)展
1.1.1 光電技術(shù)的發(fā)展
1.1.2 光電信息系統(tǒng)
1.1.3 光電技術(shù)和光電檢測
1.1.4 光電技術(shù)的特點(diǎn)、應(yīng)用和發(fā)展
1.2 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)
1.2.1 半導(dǎo)體的能帶和種類
1.2.2 I型、N型和P型半導(dǎo)體
1.2.3 熱平衡條件下的載流子濃度
1.2.4 載流子的運(yùn)動(dòng)
1.2.5 半導(dǎo)體的結(jié)
1.2.6 光輻射與半導(dǎo)體的相互作用
1.3 光電效應(yīng)
1.3.1 光電效應(yīng)
1.3.2 光電效應(yīng)的分類
1.3.3 光電效應(yīng)的幾種現(xiàn)象
1.4 光電器件的分類
1.5 光電器件特性及評價(jià)基礎(chǔ)
1.5.1 響應(yīng)特性
1.5.2 噪聲特性
1.5.3 光電器件的空間分辨特性
1.6 光電器件主要參數(shù)的測試
1.6.1 響應(yīng)率的測試
1.6.2 光譜響應(yīng)率函數(shù)的測試
1.6.3 調(diào)制傳遞函數(shù)的測試
參考文獻(xiàn)
思考題與習(xí)題
第2章 發(fā)光器件及其應(yīng)用
2.1 電致發(fā)光原理
2.1.1 電致激發(fā)過程
2.1.2 輻射復(fù)合與非輻射復(fù)合過程
2.1.3 注入式半導(dǎo)體發(fā)光器件的量子效率
2.2 發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)與原理
2.2.1 發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)原理
2.2.2 發(fā)光二極管的材料選擇
2.2.3 發(fā)光二極管使用須知
2.3 發(fā)光二極管的特性與參數(shù)
2.3.1 伏安特性
2.3.2 光譜特性
2.3.3 發(fā)光特性
2.3.4 溫度特性
2.3.5 輻射效率
2.3.6 發(fā)光二極管的參數(shù)
2.4 半導(dǎo)體激光器
2.4.1 激光的產(chǎn)生
2.4.2 PN結(jié)注入式半導(dǎo)體激光器
2.4.3 半導(dǎo)體激光器的性能
2.5 發(fā)光器件的應(yīng)用
2.5.1 發(fā)光二極管應(yīng)用實(shí)例
2.5.2 半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
第3章 半導(dǎo)體光電器件
3.1 光電導(dǎo)型光電探測器件
3.2 光敏電阻
3.2.1 光敏電阻的工作原理
3.2.2 光敏電阻的結(jié)構(gòu)分類特性、偏置電路及其應(yīng)用
3.3 勢壘型光電探測器件
3.3.1 光電池
3.3.2 光電二極管
3.3.3 光電三極管
3.3.4 光電場效應(yīng)管
參考文獻(xiàn)
思考題與習(xí)題
第4章 真空光電器件
4.1 光電發(fā)射與二次電子發(fā)射
4.1.1 光電發(fā)射
4.1.2 二次電子發(fā)射
4.1.3 倍增極
4.2 光電管
4.2.1 真空光電管
4.2.2 充氣光電管
4.2.3 光電管的應(yīng)用普朗克常數(shù)的測定
4.3 光電倍增管
4.3.1 光電倍增管的工作原理及結(jié)構(gòu)
4.3.2 光電倍增管的主要性能和參數(shù)
4.3.3 光電倍增管使用注意要點(diǎn)
4.3.4 光電倍增管的應(yīng)用
4.3.5 光電倍增管應(yīng)用中的幾個(gè)問題
參考文獻(xiàn)
思考題與習(xí)題
第5章 光電成像器件
5.1 像管成像的物理過程
5.1.1 光電成像原理的產(chǎn)生及發(fā)展
5.1.2 光電成像器件的類型
5.1.3 像管成像的物理過程
5.2 像管的工作原理與結(jié)構(gòu)
5.2.1 光電陰極
5.2.2 電子光學(xué)系統(tǒng)
5.2.3 熒光屏
5.2.4 光學(xué)纖維面板
5.3 像管主要特性分析
5.3.1 光電轉(zhuǎn)換特性
5.3.2 時(shí)間響應(yīng)特性
5.3.3 噪聲特性
5.3.4 光學(xué)特性
5.4 變像管
5.5 像增強(qiáng)器
5.5.1 第一代微光像增強(qiáng)器
5.5.2 第二代微光像增強(qiáng)器
5.5.3 負(fù)電子親和勢光電陰極像增強(qiáng)器
5.5.4 X射線像增強(qiáng)器
5.6 攝像管
5.6.1 攝像管的分類和基本原理
5.6.2 攝像管的主要參數(shù)
參考文獻(xiàn)
思考題與習(xí)題
第6章 電荷耦合器件
6.1 電荷耦合器件的基本原理
6.1.1 MOS電容的結(jié)構(gòu)及性質(zhì)
6.1.2 電荷耦合器件的工作條件及要求
6.1.3 電荷耦合器件的勢阱深度與表面勢的關(guān)系
6.1.4 CCD的電荷耦合原理及信號(hào)傳輸
6.2 電荷耦合器件的基本結(jié)構(gòu)
6.2.1 三相電極結(jié)構(gòu)
6.2.2 二相電極結(jié)構(gòu)
6.2.3 體內(nèi)(埋溝)轉(zhuǎn)移信道結(jié)構(gòu)
6.3 電荷耦合器件的特征參數(shù)
6.3.1 轉(zhuǎn)移效率及轉(zhuǎn)移損失率
6.3.2 電荷存儲(chǔ)能力
6.3.3 噪聲
6.3.4 暗電流
6.3.5 調(diào)制傳遞函數(shù)
6.3.6 動(dòng)態(tài)范圍
6.3.7 功耗
6.4 電荷耦合成像器件
6.4.1 電荷耦合成像器件的原理與結(jié)構(gòu)
6.4.2 一維(線陣)電荷耦合成像器件
6.4.3 二維(列陣或面陣)電荷耦合成像器件
6.4.4 電荷耦合成像器件性能分析
6.5 微光電荷耦合成像器件
6.5.1 光學(xué)耦合像增強(qiáng)器型CCD
6.5.2 電子轟擊型CCD
6.5.3 電子倍增型CCD
6.6 CMOS成像器件
6.6.1 CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)與工作原理
6.6.2 CMOS圖像傳感器的像元結(jié)構(gòu)
6.6.3 CMOS圖像傳感器與CCD的特性比較
參考文獻(xiàn)
思考題與習(xí)題
第7章 光電耦合器件及其應(yīng)用
7.1 光電耦合器件
7.1.1 光電耦合器件的含義
7.1.2 光電耦合器件的特點(diǎn)
7.1.3 光電耦合器件的種類
7.2 光電耦合器件的特性參數(shù)
7.2.1 傳輸特性
7.2.2 響應(yīng)特性
7.2.3 抗干擾特性
7.3 光電耦合器件的應(yīng)用
7.3.1 光電耦合器件的電路設(shè)計(jì)
7.3.2 光電耦合器件