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全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈貿(mào)易網(wǎng)絡供應風險傳播研究
本書基于產(chǎn)業(yè)鏈視角,對半導體產(chǎn)業(yè)鏈貿(mào)易網(wǎng)絡中供應風險的影響進行模擬分析。首先,基于2008-2022年的貿(mào)易數(shù)據(jù)分別構(gòu)建了半導體制成品、制造材料和制造設(shè)備貿(mào)易單層網(wǎng)絡,并通過度、網(wǎng)絡密度、平均路徑長度等網(wǎng)絡指標分析了整體網(wǎng)絡結(jié)構(gòu)的演變。其次,基于已構(gòu)建的單層網(wǎng)絡,以及半導體產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)的投入產(chǎn)出關(guān)系,構(gòu)建半導體產(chǎn)業(yè)鏈多層網(wǎng)絡。最后,基于貿(mào)易多層網(wǎng)絡和貿(mào)易風險傳播模型,分別從半導體產(chǎn)業(yè)鏈單層貿(mào)易網(wǎng)絡和多層貿(mào)易網(wǎng)絡兩個視角模擬在不同貿(mào)易風險沖擊下的影響范圍,識別關(guān)鍵傳播源以及關(guān)鍵傳播源的傳播路徑,并為中國應對供應鏈風險以及保障半導體產(chǎn)業(yè)鏈供應安全提供了政策建議。
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