砷化鎵作為最重要的第二代半導(dǎo)體襯底材料，廣泛應(yīng)用在微電子領(lǐng)域和光電子領(lǐng)域中。高質(zhì)量的砷化鎵襯底要求表面/亞表面無損傷、晶格保持完整、表面粗糙度要求達到亞納米量級，而化學機械拋光是目前最有效能夠?qū)崿F(xiàn)該項需求的技術(shù)。現(xiàn)有關(guān)于砷化鎵材料去除的研究主要在化學機械拋光復(fù)雜環(huán)境中進行，通過實驗研究不同工藝參數(shù)對材料去除率的影響規(guī)律，缺乏對砷化鎵材料去除過程中化學機械耦合關(guān)系的建立，缺乏宏觀和微觀實驗相互佐證的砷化鎵材料去除機理的實驗研究，也很少涉及對砷化鎵晶面各向異性、砷化鎵極性、磨粒種類等對砷化鎵微觀材料去除機制研究，導(dǎo)致目前砷化鎵的化學機械拋光仍存在材料去除率低、全局平坦化缺陷控制難等問題。