本書系統(tǒng)地介紹了碳化硅MOSFET在應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)要領(lǐng)及核心問題，重點在于碳化硅MOSFET的封裝、特性及測試和驅(qū)動，具體內(nèi)容包括碳化硅器件概述、功率器件封裝基礎(chǔ)、靜動態(tài)特性、短路及串并聯(lián)特性、應(yīng)用問題及解決方法、柵極驅(qū)動和新型柵極驅(qū)動等內(nèi)容。本書內(nèi)容設(shè)置注重前后知識的銜接和邏輯關(guān)系，構(gòu)建系統(tǒng)性知識框架。書中內(nèi)容主要針對于碳化硅MOSFET，但是部分內(nèi)容如封裝共性理論基礎(chǔ)、特性測試、驅(qū)動設(shè)計等也適用于硅IGBT/MOSFET或氮化鎵HEMT。