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高電子遷移率晶體管建模理論與實(shí)踐

高電子遷移率晶體管建模理論與實(shí)踐

定  價(jià):128 元

        

  • 作者:高建軍著
  • 出版時(shí)間:2025/12/1
  • ISBN:9787121517495
  • 出 版 社:電子工業(yè)出版社
  • 中圖法分類:TN32 
  • 頁(yè)碼:18,274頁(yè)
  • 紙張:
  • 版次:1
  • 開(kāi)本:24cm
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本書(shū)是作者在微波和光通信技術(shù)領(lǐng)域多年工作、學(xué)習(xí)、研究和教學(xué)過(guò)程中獲得的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)的總結(jié),內(nèi)容包括微波網(wǎng)絡(luò)信號(hào)矩陣技術(shù)和微波網(wǎng)絡(luò)噪聲矩陣技術(shù),以及以此為基礎(chǔ)的微波射頻高電子遷移率晶體管建模和測(cè)試技術(shù)。
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