氘代產(chǎn)品專利技術(shù)競爭態(tài)勢分析
定 價：96 元
- 作者：陳柏強
- 出版時間：2026/1/7
- ISBN：9787524501848
- 出 版 社：知識產(chǎn)權(quán)出版社
- 中圖法分類：TL291-18
- 頁碼：276
- 紙張：
- 版次：1
- 開本：16開
本書對氘代產(chǎn)品的全球及中國專利狀況進行了全面剖析, 同時對氘代藥物、氘代光電材料、氘代聚合物、氘代含能材料技術(shù)領(lǐng)域等技術(shù)發(fā)展前沿?zé)狳c、競爭對手、專利運營以及重要專利進行了多維度深入分析, 結(jié)合分析內(nèi)容提出氘代產(chǎn)品的研究方向和專利布局建議。
陳柏強，1982年生，湖南湘潭人，現(xiàn)任北京理工大學(xué)技術(shù)轉(zhuǎn)移中心主任，副研究員、碩士生導(dǎo)師。先后在北京理工大學(xué)和中國科學(xué)院軟件研究所獲學(xué)士和博士學(xué)位，此后長期在高校從事科技成果轉(zhuǎn)化與知識產(chǎn)權(quán)運營工作，成功推動多項重大成果實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。應(yīng)多部委邀請深度參與重要政策研究與文件起草工作，積極推動成果轉(zhuǎn)化稅收優(yōu)惠、技術(shù)轉(zhuǎn)移研究生教育、職務(wù)科技成果賦權(quán)試點及“先賦權(quán)后行權(quán)”模式創(chuàng)新、“事業(yè)化管理+市場化運營”新型技術(shù)轉(zhuǎn)移機構(gòu)建設(shè)等改革創(chuàng)新。榮獲工業(yè)和信息化部優(yōu)秀研究成果獎二、三等獎等獎勵，入選中國科協(xié)“科創(chuàng)中國”技術(shù)經(jīng)理人先鋒榜等榜單，兼任北京高校技術(shù)轉(zhuǎn)移聯(lián)盟聯(lián)席理事長/秘書長等社會職務(wù)。
冀小強2002年畢業(yè)于北京航空航天大學(xué)，正高級知識產(chǎn)權(quán)師，全國專利信息領(lǐng)軍人才，國家知識產(chǎn)權(quán)局高層次人才，北京市海淀區(qū)創(chuàng)新領(lǐng)軍人才。長期從事發(fā)明專利審查、專利分類審查、專利信息開發(fā)利用等工作。曾參與國家重點研發(fā)計劃“知識產(chǎn)權(quán)信息共享與運營服務(wù)應(yīng)用示范”等多項知識產(chǎn)權(quán)研究課題項目，先后負(fù)責(zé)過30多項面向政府及企業(yè)的專利技術(shù)動向研究、專利分析預(yù)警、專利分析評議、專利競爭情報等研究項目，研究成果多次榮獲全國知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)秀調(diào)查研究報告暨優(yōu)秀軟科學(xué)研究成果獎。
張瑤畢業(yè)于北京理工大學(xué)，現(xiàn)任北京理工大學(xué)技術(shù)轉(zhuǎn)移中心總工程師，副研究員，具有十余年知識產(chǎn)權(quán)工作經(jīng)驗。曾任職于國家知識產(chǎn)權(quán)局專利局專利審查協(xié)作北京中心，國家知識產(chǎn)權(quán)局骨干人才，從事發(fā)明專利實審、復(fù)審以及PCT國際檢索、國際初步審查。發(fā)表數(shù)篇知識產(chǎn)權(quán)相關(guān)技術(shù)文章，出版專業(yè)書籍，參與多項知識產(chǎn)權(quán)研究課題和項目，為企業(yè)、高校和科研院所提供知識產(chǎn)權(quán)和成果轉(zhuǎn)化服務(wù)。
目錄
第1 章 緒 論…………………………………………………………………… 1
1. 1 技術(shù)概況………………………………………………………………… 1
1. 1. 1 氘代藥物技術(shù)……………………………………………………… 1
1. 1. 2 氘代光電材料技術(shù)………………………………………………… 3
1. 1. 3 氘代聚合物技術(shù)…………………………………………………… 5
1. 1. 4 氘代含能材料技術(shù)………………………………………………… 9
1. 2 研究內(nèi)容及方法………………………………………………………… 12
1. 2. 1 技術(shù)分解…………………………………………………………… 12
1. 2. 2 數(shù)據(jù)采集處理……………………………………………………… 18
1. 2. 3 研究內(nèi)容和方法…………………………………………………… 20
1. 2. 4 術(shù)語解釋和說明……………………………………………………
第2 章 氘代產(chǎn)品全球?qū)＠夹g(shù)競爭態(tài)勢…………………………………… 23
2. 1 全球?qū)＠夹g(shù)創(chuàng)新趨勢………………………………………………… 23
2. 1. 1 全球?qū)＠暾垜B(tài)勢………………………………………………… 23
2. 1. 2 氘代產(chǎn)品重點技術(shù)發(fā)展趨勢……………………………………… 25
2. 2 專利技術(shù)創(chuàng)新區(qū)域競爭分析…………………………………………… 33
2. 2. 1 全球?qū)＠夹g(shù)創(chuàng)新區(qū)域分布……………………………………… 33
2. 2. 2 主要創(chuàng)新區(qū)域?qū)＠暾堏厔菁坝蛲獠季帧?34
2. 2. 3 重點技術(shù)創(chuàng)新區(qū)域競爭…………………………………………… 36
2. 3 氘代產(chǎn)品專利布局目標(biāo)市場競爭分析………………………………… 41
2. 3. 1 全球?qū)＠季帜繕?biāo)市場分布……………………………………… 41
2. 3. 2 專利布局主要目標(biāo)市場專利申請趨勢…………………………… 44
2. 3. 3 中美韓日歐五國/ 地區(qū)專利技術(shù)動向…………………………… 46
2. 3. 4 重點技術(shù)專利布局目標(biāo)市場競爭………………………………… 47
2. 4 全球?qū)＠夹g(shù)創(chuàng)新主體分析…………………………………………… 52
2. 4. 1 創(chuàng)新主體專利技術(shù)集中度………………………………………… 52
2. 4. 2 氘代產(chǎn)品全球?qū)＠夹g(shù)創(chuàng)新主體排名…………………………… 54
2. 4. 3 重點技術(shù)創(chuàng)新主體排名…………………………………………… 56
2. 5 小 結(jié)…………………………………………………………………… 58
第3 章 氘代產(chǎn)品中國專利技術(shù)競爭態(tài)勢…………………………………… 60
3. 1 氘代產(chǎn)品中國市場專利技術(shù)創(chuàng)新趨勢………………………………… 60
3. 1. 1 中國市場專利申請態(tài)勢…………………………………………… 60
3. 1. 2 氘代產(chǎn)品中國市場專利布局結(jié)構(gòu)及重點技術(shù)發(fā)展趨勢………… 61
3. 2 氘代產(chǎn)品國外在華專利布局…………………………………………… 68
3. 2. 1 中國市場氘代產(chǎn)品專利技術(shù)輸入國……………………………… 68
3. 2. 2 中國市場主要專利技術(shù)輸入國申請趨勢及布局領(lǐng)域…………… 69
3. 2. 3 中國市場主要專利技術(shù)輸入國授權(quán)趨勢及布局領(lǐng)域…………… 71
3. 3 氘代產(chǎn)品中國市場專利技術(shù)創(chuàng)新主體分析…………………………… 73
3. 3. 1 中國市場專利技術(shù)創(chuàng)新主體排名………………………………… 73
3. 3. 2 氘代產(chǎn)品中國市場重點技術(shù)創(chuàng)新主體排名……………………… 75
3. 3. 3 氘代產(chǎn)品中國市場創(chuàng)新主體類型分析…………………………… 78
3. 3. 4 中國市場含能材料規(guī)模企業(yè)分析………………………………… 80
3. 4 氘代產(chǎn)品中國市場專利法律狀態(tài)及運營分析………………………… 84
3. 4. 1 氘代產(chǎn)品中國市場專利授權(quán)情況分析…………………………… 84
3. 4. 2 氘代產(chǎn)品中國市場有效專利分析………………………………… 85
3. 4. 3 氘代產(chǎn)品中國市場專利運營分析………………………………… 86
3. 5 小 結(jié)…………………………………………………………………… 91
第4 章 氘代產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)…………………………………………………… 94
4. 1 氘代產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展路線………………………………………………… 94
4. 1. 1 氘代藥物技術(shù)發(fā)展路線…………………………………………… 94
4. 1. 2 氘代光電材料技術(shù)發(fā)展路線……………………………………… 99
4. 1. 3 氘代聚合物技術(shù)發(fā)展路線……………………………………… 105
4. 1. 4 氘代含能材料技術(shù)發(fā)展路線…………………………………… 113
4. 2 氘代產(chǎn)品專利布局熱點和空白點…………………………………… 118
4. 2. 1 氘代藥物專利布局熱點和空白點……………………………… 119
4. 2. 2 氘代光電材料專利布局熱點…………………………………… 126
4. 3 氘代產(chǎn)品重要專利分析……………………………………………… 131
4. 3. 1 重要專利評價標(biāo)準(zhǔn)及基本信息………………………………… 131
4. 3. 2 重要專利運營分析……………………………………………… 146
4. 3. 3 創(chuàng)新主體分析…………………………………………………… 147
4. 4 小 結(jié)………………………………………………………………… 148
第5 章 代表性創(chuàng)新主體……………………………………………………… 150
5. 1 氘代光電材料全球領(lǐng)跑者———韓國三星集團……………………… 150
5. 1. 1 三星集團氘代產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)＠暾埧傮w趨勢…………………… 150
5. 1. 2 三星集團氘代產(chǎn)品專利布局區(qū)域分布………………………… 151
5. 1. 3 三星集團氘代產(chǎn)品重點技術(shù)分析……………………………… 152
5. 1. 4 三星集團氘代光電材料的研發(fā)熱點…………………………… 154
5. 2 氘代光電材料新生力量———吉林奧來德…………………………… 156
5. 2. 1 吉林奧來德氘代產(chǎn)品專利申請總體趨勢……………………… 156
5. 2. 2 吉林奧來德氘代產(chǎn)品重點技術(shù)分析…………………………… 157
5. 2. 3 吉林奧來德氘代光電材料專利研發(fā)熱點……………………… 158
5. 3 氘代藥物先驅(qū)———美國CONCERT 公司…………………………… 160
5. 3. 1 美國CONCERT 公司氘代藥物專利申請總體趨勢…………… 160
5. 3. 2 美國CONCERT 公司氘代藥物專利布局區(qū)域………………… 161
5. 3. 3 美國CONCERT 公司氘代藥物重點技術(shù)分析………………… 162
5. 3. 4 美國CONCERT 公司氘代藥物專利研發(fā)熱點………………… 162
5. 4 氘代藥物研發(fā)先鋒———澤璟制藥…………………………………… 166
5. 4. 1 澤璟制藥氘代藥物專利申請總體趨勢………………………… 167
5. 4. 2 澤璟制藥氘代藥物專利布局區(qū)域……………………………… 167
5. 4. 3 澤璟制藥氘代藥物重點技術(shù)分析……………………………… 168
5. 4. 4 澤璟制藥氘代藥物專利研發(fā)熱點……………………………… 169
5. 5 小 結(jié)………………………………………………………………… 172
第6 章 主要結(jié)論與建議……………………………………………………… 175
6. 1 氘代產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展及專利布局現(xiàn)狀………………………………… 175
6. 2 氘代產(chǎn)品創(chuàng)新主體現(xiàn)狀……………………………………………… 177
6. 3 氘代產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新狀況………………………………………… 178
6. 4 氘代產(chǎn)品中國專利法律狀態(tài)及運營狀況…………………………… 179
6. 5 國內(nèi)創(chuàng)新主體布局建議……………………………………………… 180
附 錄…………………………………………………………………………… 183
后 記…………………………………………………………………………… 261
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