隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的制造及應(yīng)用使得電路板的制造工藝日趨精密和復(fù)雜，傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)手段和軟件已不能適應(yīng)這種發(fā)展需求。以AltiumDesigner系列軟件易學(xué)易用、布線功能強(qiáng)大，被廣泛應(yīng)用于印制電路板設(shè)計(jì)中。本書采用任務(wù)驅(qū)動(dòng)式的編寫方法，用實(shí)例介紹電路原理圖設(shè)計(jì)，原理圖元件制作與使用，印制電路板

本書重點(diǎn)講授與集成電路半導(dǎo)體和器件相關(guān)的基礎(chǔ)物理知識。熟練掌握本書的知識體系,可為后續(xù)半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件物理兩門專業(yè)核心課程的學(xué)習(xí)奠定必要的理論基礎(chǔ)。全書共分為13章,包含微觀粒子的波粒二象性,狀態(tài)與波函數(shù),定態(tài)薛定諤方程的應(yīng)用,力學(xué)量與算符,表象理論,微擾理論,晶體結(jié)構(gòu)的描述,初識半導(dǎo)體單晶能帶結(jié)構(gòu),半導(dǎo)體單晶僅

本書是按照理論夠用、突出實(shí)踐、任務(wù)驅(qū)動(dòng)、理實(shí)一體的原則編寫而成的。書中以集成電路芯片封裝工藝流程為主線，以真實(shí)項(xiàng)目為載體，每個(gè)項(xiàng)目以任務(wù)實(shí)施為導(dǎo)向，設(shè)置任務(wù)目標(biāo)、任務(wù)準(zhǔn)備、任務(wù)資訊、課程思政、任務(wù)實(shí)施和任務(wù)習(xí)題六個(gè)環(huán)節(jié)。 本書共五個(gè)項(xiàng)目。項(xiàng)目一為封裝產(chǎn)業(yè)調(diào)研，包括封裝的概念、技術(shù)領(lǐng)域、功能、歷史及現(xiàn)狀和國內(nèi)產(chǎn)業(yè)狀況等內(nèi)

本書共10章。第1章介紹集成電路工藝的器件與工藝仿真基礎(chǔ)，第2章至第7章介紹集成電路制造的薄膜制備、離子注入、光刻、刻蝕、金屬化、化學(xué)機(jī)械平坦化等基本工藝，第8章介紹阱工藝、淺槽隔離工藝、柵極工藝、源漏工藝、自對準(zhǔn)金屬硅化物工藝、接觸孔與通孔工藝和金屬互連工藝等集成電路制造的工藝集成技術(shù)，第9章至第10章介紹先進(jìn)封裝工

本教材共五篇23章。第一篇介紹集成電路制造的器件基礎(chǔ)，包括MOSFET器件、功率器件、邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片；第二篇介紹集成電路制造的工藝設(shè)計(jì)基礎(chǔ)，包括工藝設(shè)計(jì)套件(PDK)、光刻掩模版技術(shù)、光學(xué)臨近修正和集成電路工藝及器件仿真工具TCAD；第三篇介紹集成電路制造基本工藝，包括光刻、刻蝕、薄膜、摻雜、離子注入和清洗；第四篇

聚焦離子束（FocusedIonBeam，F(xiàn)IB）是微納材料芯片失效分析的核心技術(shù)裝備之一。隨著材料、器件的微尺度化（納米甚至原子尺度）、高集成化（每平方厘米集成10億個(gè)以上的功能單元）、多功能化（在多種外場條件下工作），越來越多的材料微結(jié)構(gòu)研究、器件研發(fā)涉及聚焦離子束。本書從聚焦離子束的結(jié)構(gòu)原理出發(fā)，緊密聯(lián)系應(yīng)用與實(shí)

本書主要面向電子信息類非微電子專業(yè)學(xué)生的入門性質(zhì)的課程，書中將從電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)者的視角，介紹集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)的基本原理和設(shè)計(jì)基礎(chǔ)。本書被列入集成電路新興領(lǐng)域“十四五”高等教育教材。全書內(nèi)容包括：緒論、集成電路制造工藝基礎(chǔ)及版圖設(shè)計(jì)、集成電路中的元器件、模擬集成電路設(shè)計(jì)—信號鏈與電源管理、數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)—單元電路

本書分為基礎(chǔ)篇、方法篇和應(yīng)用篇，共七章。基礎(chǔ)篇(第一、二章)介紹了什么是不確定性、不確定性量化這一交叉學(xué)科的發(fā)展現(xiàn)狀，以及不確定性建模和相關(guān)基礎(chǔ)知識。方法篇(第3-5章)從不確定性量化的研究目標(biāo)出發(fā)，梳理了參數(shù)不確定性、模型不確定性和逆向建模這3類不確定性量化常見問題及對應(yīng)量化方法。應(yīng)用篇(第6、7章)針對不確定性量化

"本書力求將芯片基礎(chǔ)知識理論與案例實(shí)踐融合在一起進(jìn)行詳細(xì)介紹。幫助讀者理解芯片相關(guān)多個(gè)模塊開發(fā)工作原理，同時(shí)兼顧了應(yīng)用開發(fā)的技術(shù)分析與實(shí)踐。本書包含大量翔實(shí)的示例和代碼片段，以幫助讀者平穩(wěn)、順利的掌握芯片開發(fā)技術(shù)。全書共10章，包括RISC-V技術(shù)分析；PCIE，存儲(chǔ)控制，以及總線技術(shù)分析；NPU開發(fā)技術(shù)分析；CUDA

本書共分7章，主要介紹SOI晶圓制備技術(shù)、SOI晶圓材料力學(xué)特性與結(jié)構(gòu)特性、機(jī)械致晶圓級單軸應(yīng)變SOI技術(shù)、高應(yīng)力氮化硅薄膜致晶圓級應(yīng)變SOI技術(shù)及其相關(guān)效應(yīng)、高應(yīng)力氮化硅薄膜致應(yīng)變SOI晶圓制備、晶圓級應(yīng)變SOI應(yīng)變模型、晶圓級應(yīng)變SOI應(yīng)力分布的有限元計(jì)算。