本書綜合了近幾年工業(yè)界的最新進展和學(xué)術(shù)界的最新研究成果，詳細介紹并討論了碳化硅功率器件的基本原理、發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢、特性及測試方法、應(yīng)用技術(shù)和各應(yīng)用領(lǐng)域的方案。本書共分為12章，內(nèi)容涵蓋功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，SiC二極管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件與Si器件特性對比，雙脈沖測試技術(shù)，SiC器件的測試

《薄膜晶體管材料與技術(shù)》是戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域“十四五”高等教育教材體系——“先進功能材料與技術(shù)”系列教材之一。本書歸納薄膜晶體管（TFT）材料、器件及制備技術(shù)，總結(jié)和梳理TFT相關(guān)的基礎(chǔ)理論知識，包括材料物理與化學(xué)、器件物理、工藝原理以及實際應(yīng)用設(shè)計原理，進一步提出新見解，為TFT技術(shù)的發(fā)展提供理論指導(dǎo)和方向參考。本書以T

氧化鎵(Ga2O3)具有超寬禁帶和高臨界擊穿場強，可滿足電力電子系統(tǒng)高功率(密度)、高效率和小型化發(fā)展需求，在航空航天、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊，但器件受限于高耐壓和低功耗的矛盾關(guān)系，且當前對大功率器件及其熱穩(wěn)定性研究較少。為此，本論文在Ga2O3器件新結(jié)構(gòu)與熱穩(wěn)定性方面開展理論和實驗創(chuàng)新研究。本研究為氧化鎵功率器件

全書從基礎(chǔ)理論出發(fā)，涉及LED背光源的工作原理、主要組件、設(shè)計方法以及關(guān)鍵技術(shù)等內(nèi)容。具體包括背光源的發(fā)展歷程、光學(xué)系統(tǒng)構(gòu)成與參數(shù)指標、側(cè)入式和直下式背光源的結(jié)構(gòu)設(shè)計，以及色域與光學(xué)計算方法。同時，書中對Mini-LED和量子點背光源等新興技術(shù)進行了詳細闡述，并展望了未來的發(fā)展方向。此外，考慮到光生物安全和藍光危害對用

IGCT具有通態(tài)壓降低、容量大、可靠性高、魯棒性好等有點，目前已應(yīng)用在直流斷路器、模塊化多電平變換器、牽引系統(tǒng)變換器等應(yīng)用場景。本書圍繞IGCT器件，分別展開介紹半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)及工作原理、阻斷特性、開通與導(dǎo)通特性、關(guān)斷特性、封裝、驅(qū)動、可靠性及應(yīng)用。同時，在各章中穿插IGCT的關(guān)鍵工藝技術(shù)，如深結(jié)推進、邊緣終端、質(zhì)子輻

本書是一本微電子技術(shù)方面的入門書籍，全面介紹了半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識。全書分為三個部分共19章，首先介紹了半導(dǎo)體基礎(chǔ)，講解了半導(dǎo)體物理方面的相關(guān)知識以及半導(dǎo)體制備工藝方面的基本概念。書中闡述了pn結(jié)、雙極結(jié)型晶體管（BJT）和其他結(jié)型器件的基本物理特性，并給出了相關(guān)特性的定性與定量分析。最后，作者討論了場效應(yīng)器件，除了講

本書提供了在各個工藝及系統(tǒng)層次的半導(dǎo)體存儲器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場趨勢和存儲應(yīng)用之后，本書重點介紹了各種主流技術(shù)，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機遇，并特別關(guān)注了可微縮途徑。這些述及的技術(shù)包括靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、非易失性存儲器(NVM)和NAND閃存。本書還提及了嵌入式存儲器

。本冊為《半導(dǎo)體工藝原理》，主要內(nèi)容包括：鍺和硅的化學(xué)制備與提純、半導(dǎo)體材料的生長、硅片加工、氧化工藝、薄膜沉積工藝、外延工藝、光刻工藝概述、光刻設(shè)備、光刻材料、刻蝕工藝、摻雜工藝等。

SMT技術(shù)是電子產(chǎn)品制造業(yè)最具生命力的技術(shù)之一，本教材根據(jù)技工院校相關(guān)專業(yè)教學(xué)要求和高級技工培養(yǎng)目標，結(jié)合教學(xué)計劃、教學(xué)大綱進行編寫，內(nèi)容包括SMT編程基礎(chǔ)、印刷機編程技術(shù)、貼片機編程技術(shù)、回流焊機編程技術(shù)和AOI編程技術(shù)等，能夠幫助技工院校相關(guān)專業(yè)學(xué)生熟練掌握SMT編程技術(shù)知識。參與本教材編寫的作者，都是曾經(jīng)在SMT

本書詳細介紹了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的結(jié)構(gòu)和工作原理、單元結(jié)構(gòu)的設(shè)計；整個芯片架構(gòu)，包括有源區(qū)、柵極焊盤和邊緣終端；保護電路；用于控制所述器件的柵極驅(qū)動電路；電路仿真模型。經(jīng)過作者的構(gòu)思和商業(yè)化，在過去的40年里，IGBT已成為大部分經(jīng)濟部門電源管理的重要器件。本書提供了各個經(jīng)濟部門中用于每個IGBT應(yīng)用的電路