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當(dāng)前分類數(shù)量:250  點(diǎn)擊返回 當(dāng)前位置:首頁 > 中圖法 【TN30 一般性問題】 分類索引
  • 玻璃通孔技術(shù)
    • 玻璃通孔技術(shù)
    • 于大全, 鐘毅, 喻甜著/2026-1-1/ 清華大學(xué)出版社/定價(jià):¥138
    • 本書系統(tǒng)梳理了玻璃通孔技術(shù)從基礎(chǔ)材料到封裝應(yīng)用的全鏈路知識(shí)體系。在材料層面,重點(diǎn)介紹了玻璃的制造工藝、基本特性及其電學(xué)性能;在關(guān)鍵工藝方面,闡述了玻璃通孔的加工、金屬填充與表面布線技術(shù);在封裝應(yīng)用部分,涵蓋了玻璃轉(zhuǎn)接板、玻璃基埋人式扇出型封裝、集成無源器件及光電共封裝等前沿技術(shù)。

    • ISBN:9787302704263
  • 功率半導(dǎo)體器件原理及設(shè)計(jì)
    • 功率半導(dǎo)體器件原理及設(shè)計(jì)
    • 王彩琳主編/2025-12-1/ 機(jī)械工業(yè)出版社/定價(jià):¥69
    • 本書圍繞功率半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)與原理,從培養(yǎng)高層次專業(yè)技術(shù)人才、不斷提高器件設(shè)計(jì)水平的目標(biāo)出發(fā),系統(tǒng)地介紹了各種功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)類型、制作工藝、工作原理、靜動(dòng)態(tài)特性及設(shè)計(jì)方法。內(nèi)容包括功率二極管(功率PIN二極管、功率SBD、MPS)、功率晶體管(功率雙極型晶體管、功率MOSFET、IGBT)、普通晶閘管及其派生

    • ISBN:9787111793519
  • 碳化硅MOSFET封裝、驅(qū)動(dòng)及應(yīng)用
    • 碳化硅MOSFET封裝、驅(qū)動(dòng)及應(yīng)用
    • 趙爽, 李賀龍, 吳義伯等編著/2025-12-1/ 機(jī)械工業(yè)出版社/定價(jià):¥79
    • 本書系統(tǒng)地介紹了碳化硅MOSFET在應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)要領(lǐng)及核心問題,重點(diǎn)在于碳化硅MOSFET的封裝、特性及測試和驅(qū)動(dòng),具體內(nèi)容包括碳化硅器件概述、功率器件封裝基礎(chǔ)、靜動(dòng)態(tài)特性、短路及串并聯(lián)特性、應(yīng)用問題及解決方法、柵極驅(qū)動(dòng)和新型柵極驅(qū)動(dòng)等內(nèi)容。本書內(nèi)容設(shè)置注重前后知識(shí)的銜接和邏輯關(guān)系,構(gòu)建系統(tǒng)性知識(shí)框架。書中內(nèi)容主要

    • ISBN:9787111794585
  • 寬禁帶功率器件的開關(guān)動(dòng)態(tài)測試技術(shù)
    • 寬禁帶功率器件的開關(guān)動(dòng)態(tài)測試技術(shù)
    • 曾正,王宇雷,龔佳坤著/2025-11-1/ 機(jī)械工業(yè)出版社/定價(jià):¥119
    • 本書系統(tǒng)介紹了寬禁帶功率器件的應(yīng)用場景和發(fā)展趨勢,梳理了寬禁帶功率器件開關(guān)動(dòng)態(tài)測試的技術(shù)需求與難題挑戰(zhàn),闡述了寬禁帶功率器件的開關(guān)動(dòng)態(tài)測試的電路、系統(tǒng)和方法,分析了寬禁帶功率器件用測試儀器的理論模型和標(biāo)定方法,探討了高帶寬、低雜感的分流器電流探頭創(chuàng)新概念,給出了高帶寬、高精度的羅氏線圈電流探頭設(shè)計(jì)方法,提出了高帶寬、高

    • ISBN:9787111794738
  • 半導(dǎo)體工藝和器件網(wǎng)頁仿真軟件 Cogenda WebTCAD 實(shí)用教程
    • 半導(dǎo)體工藝和器件網(wǎng)頁仿真軟件 Cogenda WebTCAD 實(shí)用教程
    • 王剛/2025-11-1/ 電子工業(yè)出版社/定價(jià):¥69
    • 本書以半導(dǎo)體工藝和器件的仿真為主線,按照由簡入繁、由低及高的原則循序深入,從仿真的數(shù)理基礎(chǔ)及對(duì)TCAD/WebTCAD的認(rèn)識(shí)出發(fā)、以半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)及器件基礎(chǔ)為知識(shí)儲(chǔ)備,引出對(duì)基于WebTCAD的二維工藝仿真及二維器件仿真的詳細(xì)介紹,并在此基礎(chǔ)上介紹WebTCAD的實(shí)例庫及具體應(yīng)用,從而達(dá)到能熟練使用WebTCAD來進(jìn)行

    • ISBN:9787121515095
  • 圖解高可靠性SiC功率半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)
    • 圖解高可靠性SiC功率半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)
    • (日)巖室憲幸著/2025-9-1/ 機(jī)械工業(yè)出版社/定價(jià):¥69
    • 全書共有5章,首先講解了包括功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ),如種類、結(jié)構(gòu)、在電路中的作用等;接著闡述了硅功率半導(dǎo)體器件現(xiàn)狀,重點(diǎn)聚焦SiC功率半導(dǎo)體器件,并深入探討了SiC-MOSFET的結(jié)構(gòu)、原理、應(yīng)用、發(fā)展現(xiàn)狀、面臨的挑戰(zhàn)及解決方法,詳細(xì)論述了其耐受能力指標(biāo),如短路、關(guān)斷等耐受能力,最后講解了SiC-MOSFET封裝技術(shù)。

    • ISBN:9787111790990
  • 功率半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)
    • 功率半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)
    • 朱正宇[等]編著/2025-9-1/ 機(jī)械工業(yè)出版社/定價(jià):¥99
    • 本書聚焦功率半導(dǎo)體器件封裝技術(shù),詳細(xì)闡述了該領(lǐng)域的多方面知識(shí)。開篇介紹功率半導(dǎo)體封裝的定義、分類,回顧其發(fā)展歷程,并探討半導(dǎo)體材料的演進(jìn)。接著深入剖析功率半導(dǎo)體器件的封裝特點(diǎn),涵蓋分立器件和功率模塊的多種封裝形式。

    • ISBN:9787111787709
  • 新一代功率半導(dǎo)體研發(fā)與應(yīng)用精講 巖室憲幸
    • 新一代功率半導(dǎo)體研發(fā)與應(yīng)用精講 巖室憲幸
    • [日]巖室憲幸/2025-8-1/ 機(jī)械工業(yè)出版社/定價(jià):¥109
    • 隨著5G通信、新能源汽車(xEV)等前沿技術(shù)的蓬勃發(fā)展,對(duì)高效、高可靠性的功率半導(dǎo)體的需求日益增長,本書正是基于此而誕生的。本書分3篇,共有9章,內(nèi)容包括SiC功率半導(dǎo)體、GaN功率半導(dǎo)體、金剛石功率半導(dǎo)體、Ga2O3(氧化鎵)功率半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體與器件的封裝技術(shù)、功率半導(dǎo)體與器件的評(píng)估、汽車領(lǐng)域新一代功率半導(dǎo)體的實(shí)

    • ISBN:9787111785453
  •  現(xiàn)代電子裝聯(lián)技術(shù)
    • 現(xiàn)代電子裝聯(lián)技術(shù)
    • 宋朝暉 李君 主編;常州市高等職業(yè)教育園區(qū)管理委員會(huì) 快克智能裝備股份有限公司/2025-8-1/ 高等教育出版社/定價(jià):¥49.8
    • 本書是圍繞電子裝聯(lián)企業(yè)的崗位需求,以電子裝聯(lián)生產(chǎn)工藝順序?yàn)橹骶設(shè)計(jì)典型工作任務(wù),并結(jié)合電子信息制造業(yè)最新發(fā)展成果而編寫的理實(shí)一體化新形態(tài)教材。全書共包含裝聯(lián)準(zhǔn)備、手工焊接與返修、表面貼裝元器件自動(dòng)裝聯(lián)、通孔元器件自動(dòng)裝聯(lián)、基板裝聯(lián)、先進(jìn)裝聯(lián)技術(shù)六個(gè)模塊。 本書配套提供豐富的數(shù)字化教學(xué)資源,包括教學(xué)課件、微課、操作視頻、

    • ISBN:9787040644968
  • 花崗偉晶巖鉀長石尾礦制備多晶硅及HIT太陽電池模擬研究
    • 花崗偉晶巖鉀長石尾礦制備多晶硅及HIT太陽電池模擬研究
    • 張研研著/2025-7-1/ 冶金工業(yè)出版社/定價(jià):¥66
    • 本書介紹利用偉晶巖精選鉀長石后的尾礦制備多晶硅,并利用測得的硅材料參數(shù)進(jìn)行HIT太陽電池模擬研究。內(nèi)容包括:提純尾礦制備高純石英粉;熔鹽電解高純石英粉制備多晶硅;根據(jù)硅材料測得性能參數(shù),利用AMPS和AFORT軟件模擬HIT太陽電池光伏性能,從而發(fā)現(xiàn)HIT太陽電池的一些變化規(guī)律。

    • ISBN:9787524002338
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