本書系統(tǒng)地闡述了作為后摩爾時(shí)代關(guān)鍵突破技術(shù)的硅通孔（TSV）技術(shù)及其解決方案。面對傳統(tǒng)平面微縮逼近物理極限與經(jīng)濟(jì)性崩塌的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，TSV技術(shù)憑借其超高的互連密度、極低的信號延遲和卓越的功耗效率，成為重構(gòu)芯片架構(gòu)、實(shí)現(xiàn)性能躍升與成本優(yōu)化的核心支柱。本書深入解析了TSV的三維集成需求、制造工藝鏈、關(guān)鍵設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)、可靠性分析與熱管理等技術(shù)內(nèi)容；然后緊密結(jié)合產(chǎn)業(yè)實(shí)踐，詳細(xì)解析了TSV技術(shù)在HBM、Chiplet異構(gòu)集成、CIS、MEMS封裝及LED等前沿領(lǐng)域的成功應(yīng)用案例；同時(shí)，前瞻性地介紹了TSV技術(shù)的未來演進(jìn)路徑。本書最后的附錄還提供了相關(guān)技術(shù)術(shù)語、關(guān)鍵工藝參數(shù)、生態(tài)圖譜和技術(shù)路線等內(nèi)容。