本書主要介紹了動(dòng)圈式揚(yáng)聲器和Mems揚(yáng)聲器用障板、自由場、711耦合器、人頭和軀干模擬器測試頻響曲線等聲學(xué)指標(biāo)的仿真方法。第1章介紹了用Micro-Cap軟件仿真單體和揚(yáng)聲器盒共振頻率和頻響曲線的方法。第2章介紹了用Comsol軟件仿真單體障板測試的方法。第3章介紹了用Comsol軟件仿真揚(yáng)聲器盒自由場測試的方法。第4

本書系統(tǒng)介紹了卟啉和酞菁兩大類大環(huán)化合物的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、電子與光物理特性及其在光電功能材料中的應(yīng)用潛力。書中重點(diǎn)討論了其獨(dú)特的π共軛結(jié)構(gòu)、可調(diào)控的金屬中心和取代基修飾方式,并深入分析了它們在有機(jī)太陽能電池、有機(jī)發(fā)光二極管、場效應(yīng)晶體管、光探測器以及傳感與催化等領(lǐng)域的前沿進(jìn)展。書稿兼顧基礎(chǔ)與應(yīng)用,既概述了分子設(shè)計(jì)與合成方法,

本書圍繞衛(wèi)星激光通信系統(tǒng)地面檢測的技術(shù)需求，介紹及分析了相關(guān)理論和方法。全書共5章，包括衛(wèi)星激光通信系統(tǒng)概念及國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀、衛(wèi)星激光通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)、通信光端機(jī)地面參數(shù)檢測、通信光端機(jī)地面模擬測試、衛(wèi)星激光通信系統(tǒng)整體模擬測試。

本書是國家級(jí)優(yōu)秀教學(xué)團(tuán)隊(duì)、精品資源共享課的教學(xué)成果總結(jié)，并入選了教育部高等學(xué)校電工電子基礎(chǔ)課程教學(xué)指導(dǎo)分委員會(huì)推薦教材。全書共13章，分別為緒論、回路與器件的高頻特性、小信號(hào)調(diào)諧放大器、非線性電路及其分析方法高頻功率放大器、正弦波振蕩器、調(diào)幅與解調(diào)、調(diào)角與解調(diào)、混頻、反饋控制電路、高頻電子線路集成化與應(yīng)用、高頻電子線路

隨著通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和應(yīng)用的飛速發(fā)展，全社會(huì)對網(wǎng)絡(luò)安全的需求與日俱增。通信網(wǎng)絡(luò)的功能越強(qiáng)、應(yīng)用越廣，它面臨的安全風(fēng)險(xiǎn)就越高，網(wǎng)絡(luò)安全技術(shù)需要與時(shí)俱進(jìn)，才能應(yīng)對日益嚴(yán)峻的安全挑戰(zhàn)。目前，通信網(wǎng)絡(luò)安全的保護(hù)目標(biāo)已從最初單純的機(jī)密性擴(kuò)展到包括機(jī)密性、完整性、真實(shí)性、確證性和可用性的全方位安全要素。本書梳理出通信網(wǎng)絡(luò)安全的本質(zhì)內(nèi)涵

本書內(nèi)容包括數(shù)字邏輯基礎(chǔ)、邏輯運(yùn)算與集成邏輯門電路、邏輯代數(shù)基礎(chǔ)、組合邏輯電路、觸發(fā)器、時(shí)序邏輯電路、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和可編程邏輯器件、脈沖波形的產(chǎn)生與整形、模-數(shù)和數(shù)-模轉(zhuǎn)換等。

本書具體內(nèi)容包括晶體管基礎(chǔ)，驅(qū)動(dòng)裝置，理想二極管，NMOS型低端理想二極管，PMOS型高端理想二極管，NMOS型高端理想二極管，快速型理想二極管，耐高反向電壓高端理想二極管，以及其他類型理想二極管的設(shè)計(jì)、原理分析與仿真。

本書全面介紹了Android設(shè)備指紋相關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)、攻防技術(shù)、風(fēng)險(xiǎn)環(huán)境檢測，以及未來發(fā)展方向。內(nèi)容涵蓋了從Android架構(gòu)與基礎(chǔ)、動(dòng)態(tài)代理與VirtualApp、AndroidHook技術(shù)到客戶機(jī)風(fēng)控的實(shí)戰(zhàn)技巧，旨在幫助開發(fā)者構(gòu)建完整的Android攻防知識(shí)體系。在個(gè)人信息保護(hù)相關(guān)法律日益嚴(yán)格和移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)安全需求不斷

全書共有5章，首先講解了包括功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，如種類、結(jié)構(gòu)、在電路中的作用等；接著闡述了硅功率半導(dǎo)體器件現(xiàn)狀，重點(diǎn)聚焦SiC功率半導(dǎo)體器件，并深入探討了SiC-MOSFET的結(jié)構(gòu)、原理、應(yīng)用、發(fā)展現(xiàn)狀、面臨的挑戰(zhàn)及解決方法，詳細(xì)論述了其耐受能力指標(biāo)，如短路、關(guān)斷等耐受能力，最后講解了SiC-MOSFET封裝技術(shù)。

本書以“知其然且知其所以然”為目標(biāo)，單獨(dú)用一章篇幅，通過在內(nèi)核代碼中注入顯示輸出的方式，對LiteOS的底層機(jī)制進(jìn)行簡明剖析。全書共8章，分別為實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)與線程的基礎(chǔ)知識(shí)、LiteOS第一個(gè)樣例工程、LiteOS下應(yīng)用程序的基本要素、LiteOS中的同步與通信、底層驅(qū)動(dòng)構(gòu)件、RTOS下的程序設(shè)計(jì)方法、初步理解Lite