本書系統(tǒng)梳理了玻璃通孔技術(shù)從基礎(chǔ)材料到封裝應(yīng)用的全鏈路知識體系。在材料層面,重點介紹了玻璃的制造工藝、基本特性及其電學(xué)性能;在關(guān)鍵工藝方面,闡述了玻璃通孔的加工、金屬填充與表面布線技術(shù);在封裝應(yīng)用部分,涵蓋了玻璃轉(zhuǎn)接板、玻璃基埋人式扇出型封裝、集成無源器件及光電共封裝等前沿技術(shù)。

本書圍繞功率半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)與原理，從培養(yǎng)高層次專業(yè)技術(shù)人才、不斷提高器件設(shè)計水平的目標(biāo)出發(fā)，系統(tǒng)地介紹了各種功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)類型、制作工藝、工作原理、靜動態(tài)特性及設(shè)計方法。內(nèi)容包括功率二極管（功率PIN二極管、功率SBD、MPS）、功率晶體管（功率雙極型晶體管、功率MOSFET、IGBT）、普通晶閘管及其派生

本書是作者在微波和光通信技術(shù)領(lǐng)域多年工作、學(xué)習(xí)、研究和教學(xué)過程中獲得的知識和經(jīng)驗的總結(jié)，內(nèi)容包括微波網(wǎng)絡(luò)信號矩陣技術(shù)和微波網(wǎng)絡(luò)噪聲矩陣技術(shù)，以及以此為基礎(chǔ)的微波射頻高電子遷移率晶體管建模和測試技術(shù)。

本書系統(tǒng)地介紹了碳化硅MOSFET在應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)要領(lǐng)及核心問題，重點在于碳化硅MOSFET的封裝、特性及測試和驅(qū)動，具體內(nèi)容包括碳化硅器件概述、功率器件封裝基礎(chǔ)、靜動態(tài)特性、短路及串并聯(lián)特性、應(yīng)用問題及解決方法、柵極驅(qū)動和新型柵極驅(qū)動等內(nèi)容。本書內(nèi)容設(shè)置注重前后知識的銜接和邏輯關(guān)系，構(gòu)建系統(tǒng)性知識框架。書中內(nèi)容主要

本書系統(tǒng)介紹了寬禁帶功率器件的應(yīng)用場景和發(fā)展趨勢，梳理了寬禁帶功率器件開關(guān)動態(tài)測試的技術(shù)需求與難題挑戰(zhàn)，闡述了寬禁帶功率器件的開關(guān)動態(tài)測試的電路、系統(tǒng)和方法，分析了寬禁帶功率器件用測試儀器的理論模型和標(biāo)定方法，探討了高帶寬、低雜感的分流器電流探頭創(chuàng)新概念，給出了高帶寬、高精度的羅氏線圈電流探頭設(shè)計方法，提出了高帶寬、高

本書以半導(dǎo)體工藝和器件的仿真為主線，按照由簡入繁、由低及高的原則循序深入，從仿真的數(shù)理基礎(chǔ)及對TCAD/WebTCAD的認(rèn)識出發(fā)、以半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)及器件基礎(chǔ)為知識儲備，引出對基于WebTCAD的二維工藝仿真及二維器件仿真的詳細(xì)介紹，并在此基礎(chǔ)上介紹WebTCAD的實例庫及具體應(yīng)用，從而達(dá)到能熟練使用WebTCAD來進(jìn)行

隨著照明需求的日益上升，LED產(chǎn)業(yè)鏈整體發(fā)展迅速，LED相關(guān)的應(yīng)用行業(yè)也呈現(xiàn)蓬勃發(fā)展的趨勢。在現(xiàn)代照明領(lǐng)域，大功率LED的發(fā)展至關(guān)重要，但因封裝結(jié)構(gòu)和制造工藝上的復(fù)雜性，制約了大功率LED發(fā)光效率和使用壽命的提高，因此大功率LED封裝技術(shù)成為當(dāng)下研究探索的熱點。本書全面、系統(tǒng)地介紹了大功率LED封裝技術(shù)的基本原理及其應(yīng)

本書系統(tǒng)介紹了卟啉和酞菁兩大類大環(huán)化合物的結(jié)構(gòu)特點、電子與光物理特性及其在光電功能材料中的應(yīng)用潛力。書中重點討論了其獨特的π共軛結(jié)構(gòu)、可調(diào)控的金屬中心和取代基修飾方式,并深入分析了它們在有機(jī)太陽能電池、有機(jī)發(fā)光二極管、場效應(yīng)晶體管、光探測器以及傳感與催化等領(lǐng)域的前沿進(jìn)展。書稿兼顧基礎(chǔ)與應(yīng)用,既概述了分子設(shè)計與合成方法,

全書共有5章，首先講解了包括功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，如種類、結(jié)構(gòu)、在電路中的作用等；接著闡述了硅功率半導(dǎo)體器件現(xiàn)狀，重點聚焦SiC功率半導(dǎo)體器件，并深入探討了SiC-MOSFET的結(jié)構(gòu)、原理、應(yīng)用、發(fā)展現(xiàn)狀、面臨的挑戰(zhàn)及解決方法，詳細(xì)論述了其耐受能力指標(biāo)，如短路、關(guān)斷等耐受能力，最后講解了SiC-MOSFET封裝技術(shù)。

本書聚焦功率半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)，詳細(xì)闡述了該領(lǐng)域的多方面知識。開篇介紹功率半導(dǎo)體封裝的定義、分類，回顧其發(fā)展歷程，并探討半導(dǎo)體材料的演進(jìn)。接著深入剖析功率半導(dǎo)體器件的封裝特點，涵蓋分立器件和功率模塊的多種封裝形式。